-
KLMAG1JETD{1}}B041Više
Samsung KLMAG1JETD-B041 je 32GB eMMC 5.1 ugrađeni flash uređaj za pohranu, koji integriše NAND Flash visokih{5}}performansi sa naprednim eMMC kontrolerom unutar kompaktnog BGA paketa.
-
KLM4G1FETE{2}}B041Više
Samsung KLM4G1FETE-B041 je 4GB eMMC 5.1 ugrađen fleš memorijski uređaj dizajniran za kompaktne-naponske, visoke-pouzdane aplikacije za pohranu. Integriše NAND Flash i eMMC kontroler
-
K4B4G1646E{3}}BMMAViše
Samsung K4B4G1646E-BMMA je 4Gb DDR3 SDRAM uređaj optimiziran za velike-brzine, niske-memorije. Pruža x16 širinu podataka i široko se koristi u potrošačkoj elektronici, industrijskim uređajima,
-
H9HCNNNBKUMLXR-NEEViše
SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE je integrisani uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) memorijski uređaj koji kombinuje visoke{4}}UFS flash memorije visokih{4}}performansi sa niskom{5}}LPDDR4X DRAM memorijom u jednom
-
K4F6E3S4HM-THCLViše
Samsung K4F6E3S4HM-THCL je 24Gb LPDDR4 SDRAM uređaj dizajniran za visoke{7}}performanse, niske-mobilne i ugrađene aplikacije. Pruža visok propusni opseg, poboljšanu energetsku efikasnost i pouzdan
-
MT53E512M32D1NP-046Više
Micron MT53E512M32D1NP-046 je 16Gb LPDDR4X (Low Power DDR4X) SDRAM uređaj optimiziran za visoke{9}}performanse i energetski{12}}efikasne aplikacije. Odlikuje ga 32-bitni I/O, visoke brzine prenosa
-
MT53D512M32D2DS-053Više
Micron MT53D512M32D2DS-053 je 16Gb LPDDR5 SDRAM uređaj dizajniran za visoke{8}}performanse, niske{10}}aplikacije. Nudi poboljšani propusni opseg, smanjenu potrošnju energije i poboljšanu pouzdanost
-
TM-002-M-01Više
TM-002-M-01
-
TM-001-D1-01Više
TM-001-D1-01
-
DSHP01TS{1}}SViše
DSHP01TS{1}}S




